TSMC已发布了A14（1.4纳米）制造技术，该技术有望为N2工艺（2纳米）提供重要的性能，功率和晶体管密度。 2025年，北美技术研讨会周三，该公司宣布，新节点依靠其第二代来完全围绕NanoSheet的Gate晶体管，并通过Nanoflex Pro Technologn提供额外的灵活性。 TSMC希望A14将在2028年进入批量生产，但背景中没有电源。 TSMC业务发展和全球销售的高级副总裁兼副首席运营官Kevin Zhang表示，带有电源的A2029版本定于2014年推出。 “如果您看一下速度，则增强（KUMFOR N2）高达15％，降低了30％，而逻辑密度则是整体芯片密度的1.23倍，或者至少为1。2倍[混合设计]。因此，这是一项非常重要的技术。本文指出：（图像来源：TSMC）TSM的A14是一个新的TSMC技术过程）GAAFET纳米片晶体管和新的性能，用电和头皮的新细胞标准。 23％-30％的性能8％-10％10％-15％高密度 *1.07次-1.10次？ SHPMIM（？）战略风险HVM Series 2026 Seriper 202720282029的1.2倍密度晶体管GAA第二代GAA功率传递战略风险 *TSMC宣布反映“混合”芯片密度为50％逻辑，SRAM和20％的芯片密度。 **在同一地方。以相同的速度。他们获得了最好的电气性能优势。”技术将于2028年进行。该技术的第一个版本没有权力的后卫。当然，TSMC了解构成高性能客户端和数据中心应用程序的客户的需求，因此它计划在2029年提供A14的A14。此外，该公司没有透露流程技术的确切名称，但是有理由期望根据TSMC的传统命名法将其称为A14P。继续进行，预计A14有时会在2029年之后获得最高性能（A14X）和优化版本（A14C）。TSMC A14架构的主要优势之一是该公司的Nanoflex Pro Designs，它将启用晶体管构建者的芯片设计，以实现最佳的PS performance，PPA（ppa），ppa（ppa）或工具。在非Pro FinFlex中，开发人员可以在模块中混合来自各种库（高性能，低强度，效率）的单元，以优化性能，功率和地点。 TSMC并未披露Nanoflex和Nanoflex Pro之间的清晰区分的技术区分细节，因此我们只能怀疑新版本是否允许对细胞甚至晶体管进行更精细的控制，或者它是否提供了更好的算法和软件增强功能来探索和优化Tra Tra tra tra tra和优化退回权衡。 TSMC的目的是在2028年在A14工艺技术中生产芯片，尽管它没有提及它是否会在今年的上半年或下半年开始在A14开始大规模生产。鉴于A16和N2P将在2026年下半年（即2026年底）推出HVM，因此该芯片可在2026年获得，我们认为A14的目的是在2028年上半年为客户应用提供服务 - 预计将在下半年为客户应用程序提供服务。